STH12N120K5-2 STMicroelectronics Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: STMicroelectronics
Série: MDmesh??K5
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1370 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 250W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: H2Pak-2
Paquet / Étui: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base: STH12