SI7469ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen IV
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 65 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3420 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SO-8
Paquet / Étui: PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base: SI7469