XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: Automotive, AEC-Q101
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 70A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 75 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 4970 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): 170W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-DSOP Advance
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN