NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Renesas Electronics America Inc
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 50A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 100 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 5000 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252 (MP-3ZK)
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63