SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 550 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 175°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: UFM
Paquet / Étui: 3-SMD, Flat Leads