SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 800mV @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 110 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±8V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.05W (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-TSSOP
Paquet / Étui: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Numéro de produit de base: SI6423