XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSX-H
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 160A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.92mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 184 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 11500 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 375W (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-220SM(W)
Paquet / Étui: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base: XK1R9F10