TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 58A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 18V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 65 nC @ 18 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2288 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 156W (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247
Paquet / Étui: TO-247-3