E3M0120090D Wolfspeed, Inc. Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Wolfspeed, Inc.
Série: E-Series, Automotive
Emballer: Tube
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 23A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 350 pF @ 600 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 97W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-3
Paquet / Étui: TO-247-3
Numéro de produit de base: E3M0120090