NTD5802NT4G onsemi Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Last Time Buy
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 5025 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: DPAK
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: NTD5802