SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 12 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SC-75-6
Paquet / Étui: PowerPAK® SC-75-6