R6000ENHTB1 Rohm Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 500mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 45 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-SOP
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Numéro de produit de base: R6000