SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1000 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TA)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-TSOP
Paquet / Étui: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base: SI3483