SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 16A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 30 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1300 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-Micro Foot??(1.5x1)
Paquet / Étui: 6-UFBGA
Numéro de produit de base: SI8499