GP2T080A120U SemiQ Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: SemiQ
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 35A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 20V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 58 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1377 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 188W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-3
Paquet / Étui: TO-247-3
Numéro de produit de base: GP2T080A