FQB34N20LTM onsemi Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: onsemi
Série: QFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Last Time Buy
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 31A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 72 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D²PAK (TO-263)
Paquet / Étui: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base: FQB34N20