SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSIII
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 250mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.2V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 36 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 500mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: VESM
Paquet / Étui: SOT-723
Numéro de produit de base: SSM3K35