SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSIII
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 100mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 100µA
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 13.5 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 100mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SSM
Paquet / Étui: SC-75, SOT-416
Numéro de produit de base: SSM3K15