DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 300mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 250µA
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 39 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 350mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: X2-DFN1006-3
Paquet / Étui: 3-XFDFN
Numéro de produit de base: DMN32