Fabricant: Infineon Technologies
Série: OptiMOS®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2430 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TDSON-8-6
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
