TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 36A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 65 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 4300 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 42W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: TPN4R712