SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 350mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±6V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 150mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SC-75A
Paquet / Étui: SC-75, SOT-416
Numéro de produit de base: SI1013