DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Configuration: Single Chopper
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150 A
Puissance - Max: 790 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 9.3 nF @ 25 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: No
Température de fonctionnement: -40°C~150°C
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: Module
Numéro de produit de base: DF150R12