NXH450B100H4Q2F2SG onsemi Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Configuration: 2 Independent
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 101 A
Puissance - Max: 234 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 600 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 9.342 nF @ 20 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: 56-PIM (93x47)