NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Configuration: Three Level Inverter
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 303 A
Puissance - Max: 276 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 24.146 nF @ 20 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Numéro de produit de base: NXH350