FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Configuration: 2 Independent
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Puissance - Max: 1050 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 5 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 14 nF @ 25 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C~125°C
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: Module
Numéro de produit de base: FF200R12