VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série: HEXFRED®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench
Configuration: Single
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 139 A
Puissance - Max: 658 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 4.4 nF @ 25 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: No
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareils du fournisseur: SOT-227
Numéro de produit de base: GT80