MIEB101H1200EH IXYS Transistors - IGBT - Modules

Fabricant: IXYS
Série: -
Emballer: Box
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Configuration: Full Bridge Inverter
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 183 A
Puissance - Max: 630 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 300 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 7.43 nF @ 25 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: No
Température de fonctionnement: -40°C~125°C(TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: E3
Package d'appareils du fournisseur: E3
Numéro de produit de base: MIEB101