HGTG10N120BND onsemi Transistors - IGBT - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Last Time Buy
Type IGBT: NPT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 35 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max: 298 W
Changement d'énergie: 850µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 100 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 23ns/165ns
Conditions de test: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr): 70 ns
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-3
Numéro de produit de base: HGTG10N120