HGT1S10N120BNST onsemi Transistors - IGBT - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type IGBT: NPT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 35 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max: 298 W
Changement d'énergie: 320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 100 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 23ns/165ns
Conditions de test: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur: D²PAK (TO-263)
Numéro de produit de base: HGT1S10