APT75GP120B2G Microchip Technology Transistors - IGBT - Simples

Fabricant: Microchip Technology
Série: POWER MOS 7®
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type IGBT: PT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 300 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Puissance - Max: 1042 W
Changement d'énergie: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 320 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 20ns/163ns
Conditions de test: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base: APT75GP120