HGTD1N120BNS9A onsemi Transistors - IGBT - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type IGBT: NPT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5.3 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 6 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Puissance - Max: 60 W
Changement d'énergie: 70µJ (on), 90µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 14 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 15ns/67ns
Conditions de test: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur: TO-252AA
Numéro de produit de base: HGTD1N120