APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology Transistors - IGBT - Simples

Fabricant: Microchip Technology
Série: POWER MOS 7®
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type IGBT: PT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 198 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 250 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Puissance - Max: 833 W
Changement d'énergie: 605µJ (on), 895µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 210 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 30ns/90ns
Conditions de test: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base: APT65GP60