2N5115E3 Microchip Technology Transistors - JFET

Fabricant: Microchip Technology
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Tension - Claquage (V(BR)GSS): 30 V
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
Tension - Coupure (VGS désactivé) à Id: 3 V @ 1 nA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 25pF @ 15V
Résistance - RDS (activé): 100 Ohms
Puissance - Max: 500 mW
Température de fonctionnement: -65°C~200°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package d'appareils du fournisseur: TO-18 (TO-206AA)