G3S12010B Global Power Technology-GPT Réseaux de diodes

Fabricant: Global Power Technology-GPT
Série: -
Emballer: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Statut du produit: Active
Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode
Technologie: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): 39A (DC)
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr): 0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr: 50 µA @ 1200 V
Température de fonctionnement - Jonction: -55°C ~ 175°C
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-247AB